CXMT称已完成4F² DRAM工程样品验证

长鑫存储（CXMT）在第三季度业绩说明会上表示，已基于4F²单元架构完成第六代DRAM工艺平台的工程样品验证，并将根据客户验证进展和市场需求逐步推进量产。文章同时提到，CXMT回应了美光对4F²密度收益的质疑，称还需考虑字线和位线的布局与结构，而非仅看电容器。原文称4F²结构相比当前行业标准的6F²可将单元面积缩小约33%。